晶圓應力雙折射測量儀可測8英寸Wafer、藍寶石、SiC晶圓等結晶缺陷的評估 藍寶石或SiC等透明晶圓的結晶缺陷，會直接影響到產品的性能，所以缺陷的檢測和管理，是制造過程中不可欠缺的重要環(huán)節(jié)。目前為止，產線上的缺陷管理，多是使用偏光片，以目視方式進行缺陷檢測，但是，這樣的檢查方式，因無法將缺陷量化，當各批量間產生變動或者缺陷密度緩慢增加時，就無法以目視檢查的方式正確找出缺陷。

晶圓應力雙折射測量儀PA-110-T將特殊的高速偏光感應器與XY stage 結合起來， 8英寸晶圓僅需5分鐘，即可取得整面的雙折射分布資料。

所以由定量化的結晶缺陷評估，提高雙折射品質的穩(wěn)定性。

Wafer整面的雙折射數(shù)據，可將結晶缺陷程度數(shù)值化。

特點：

1，XY自動Stage 拼貼功能

針對大尺寸的Wafer 數(shù)據，以拼貼方式自動合成。

2，使用大口徑遠心鏡頭

以垂直光線進行測量，因不受視角影響，連周邊區(qū)域都可高精度測量。

測量原理

當光線穿透雙折射特性的透明物質時，光的偏光狀態(tài)會產生變化（光彈性效應）。換句話說，比較光穿透透明物體前與后的偏光狀態(tài)，即可評估物質的雙折射。

該設備裝配的偏光感應器，使用了本司*的Photonic結晶組裝而成， 能瞬間將偏光信息以影像方式保存，再搭配專屬的演算，影像處理軟件，能將雙折射分布數(shù)據定量化，使得分析變得更加便利。

可觀察的晶圓尺寸與貼合影響。

自動影響貼合功能，可觀察8英寸Wafer。

φ 8 inch（4×5）

PA-110-T 規(guī)格：