1. 產(chǎn)品概述

可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時，利用反應(yīng)性氣體的離子束，切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。

2. 設(shè)備用途/原理

III-V族材料刻蝕工藝；

固體激光器 InP刻蝕；

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕；

射頻器件低損傷 GaN刻蝕；

類金剛石 （DLC） 沉積；

二氧化硅和石英刻蝕；

用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕。