FPESI-E3611 離子體灰化蝕刻系統(tǒng)
- 公司名稱 孚光精儀(中國)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 FPESI-E3611
- 產地
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2024/4/25 10:10:07
- 訪問次數 332
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等離子體灰化蝕刻系統(tǒng)e3600采用zuixin的光刻膠去除技術,為去除晶圓光刻膠提供高效方案。可以在不改變硬件的情況下同時處理不同尺寸的晶圓。憑借緊湊的模塊化設計,它可以以較低的擁有成本提供高吞吐量。
等離子體灰化/蝕刻系統(tǒng)特點
TCP 6KW射頻等離子體或3KW微波等離子體
占地面積小,擁有成本低
單臂或雙臂取放機器人
極低傷害的向下等離子體
高吞吐量>100 wph
用于100mm至200mm晶圓的雙盒式支架
可選SMIF裝載站
ULPA或HEPA系統(tǒng)
等離子體灰化/蝕刻系統(tǒng)應用
去除體光刻膠,
后LDI光刻膠條
聚合物去除
Descum處理
表面處理可提高Dep附著力
高劑量植入后條
氧化
各向同性蝕刻
MEMS
等離子體灰化/蝕刻系統(tǒng)晶圓處理工藝
灰化:剝離光刻膠。通常在離子注入或蝕刻之后進行。
Descum:去除前端晶圓上殘留的光刻膠或聚酰亞胺,去除晶圓上的一小部分光刻膠。
蝕刻:對Si3N4、SiO2和多晶硅等材料進行各向同性蝕刻
表面處理:濕法刻蝕前表面活化,改善刻蝕工藝步驟,提高沉積前表面附著力。
清潔:可以在濕法蝕刻后進行等離子體清潔以完成清潔步驟,或者在DRIE后從過孔中去除聚合物等。
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