Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 （ALD） 系統(tǒng)，專為入門級到中級用戶而設(shè)計。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積，工藝室設(shè)計促進了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進一步增強了系統(tǒng)性能。總體而言，該ALD150LE™在緊湊的設(shè)計中提供了的靈活性和性能，而不會犧牲可維護性。

該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積，我們的垂直流設(shè)計可實現(xiàn)分離、均勻的前驅(qū)體輸送，同時降低背景雜質(zhì)水平，從而提高薄膜質(zhì)量。為避免不必要的材料在輸送通道內(nèi)積聚和顆粒形成，有兩個獨立的腔室入口可用于前驅(qū)體分離。例如，可以使用單獨的入口來分離金屬有機前體和共反應(yīng)物，以防止在輸送管線和閥門中沉積。

• 兩個獨立的進樣口，用于前驅(qū)體輸送，可防止輸送通道中不必要的積聚

• 開放式裝載室經(jīng)過精心設(shè)計，可最大限度地減少由于密封脫氣和滲透引起的背景雜質(zhì)

• 獨立的基板加熱器平臺和外腔殼體，可實現(xiàn)出色的溫度控制和均勻性

• 304L不銹鋼結(jié)構(gòu)

• 可訪問、低維護的設(shè)計

ALD150LE™開路負載設(shè)計允許在樣品引入過程中將基物（直徑最大為 150 mm）直接放置在基板加熱器臺上。在隨后的原子層沉積（ALD）處理過程中，集中式母離子輸送和泵送建立了一個屏障，將下游腔室密封的雜質(zhì)擋在反應(yīng)區(qū)之外。彈性體腔密封件在下游的戰(zhàn)略定位可使雜質(zhì)（由于密封件釋氣和滲透）遠離基材表面，從而提高 ALD 薄膜質(zhì)量。特別是，這是在開放式負載室設(shè)計中獲得高質(zhì)量氮化物膜的一個重要特征。