MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能夠穿透樣品表面，進(jìn)行無(wú)損觀察檢測(cè)，檢測(cè)效果好、速度快，大幅提升了客戶(hù)效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶(hù)要求定制濾片、鏡頭、相機(jī)、平臺(tái)，可搭配自動(dòng)傳動(dòng)設(shè)備。

MIR100紅外顯微鏡——VECSEL芯片無(wú)損紅外透視顯微解決方案

第二代半導(dǎo)體（硅基）

20世紀(jì)90年代以來(lái)，隨著移動(dòng)通信的快速發(fā)展，以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎(chǔ)的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料開(kāi)始涌現(xiàn)。

垂直腔面發(fā)射激光器(vertical cavity surface emitting laser)，VMK系列、MM系列近紅外2D、2.5D多年來(lái)服務(wù)于技術(shù)量產(chǎn)VECSEL芯片企業(yè)的研發(fā)、品檢、生產(chǎn)中，提供了高性?xún)r(jià)比的VECSEL全設(shè)計(jì)波段無(wú)損檢測(cè)解決方案。

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導(dǎo)體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開(kāi)的獨(dú)立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。常規(guī)的金相顯微鏡無(wú)法觀測(cè)VECSEL產(chǎn)品，以下為近紅外顯微鏡MIR100拍攝的圖片

1.1可見(jiàn)光VCSEL氧化孔徑效果圖

1.2 MIR100近紅外顯微鏡VCSEL氧化孔徑效果圖

2.1可見(jiàn)光VCSEL氧化孔徑效果圖

2.2 MIR100近紅外顯微鏡VCSEL氧化孔徑效果圖

封裝芯片,晶圓級(jí)CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無(wú)損分析,透過(guò)硅觀察IC芯片內(nèi)部

IR近紅外線(xiàn)顯微鏡,可以對(duì)SiP（System in Package）,三維組裝,CSP（Chip Size Package）等用可視觀察無(wú)法看到的領(lǐng)域進(jìn)行無(wú)損檢查和分析

正置紅外顯微鏡,專(zhuān)用紅外硅片檢測(cè)顯微鏡,硅襯底的CSP觀察

紅外金相顯微鏡可觀察：Vcsel芯片隱裂（cracks),InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè),LED LD芯片出光面積測(cè)量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內(nèi)部缺陷，焊點(diǎn)檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量,可以定制開(kāi)發(fā)軟件模塊快速自動(dòng)測(cè)量重合誤差,硅基半導(dǎo)體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無(wú)損紅外檢測(cè),太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè),LCD RGB像元面積測(cè)量

IR顯微鏡可用于透過(guò)硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無(wú)損分析,通過(guò)紅外顯微鏡對(duì)硅片穿透可觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的位錯(cuò),隱裂痕,芯片劃片封裝的不良。