濕法腐蝕自停止技術(shù)是半導(dǎo)體制造中核心的一環(huán)，它確保了微結(jié)構(gòu)制備的精確性和可靠性。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，有更多創(chuàng)新方法涌現(xiàn)，那我們就看推薦幾個(gè)常見(jiàn)的方法：

利用摻雜濃度差實(shí)現(xiàn)自停止

原理：在硅材料中進(jìn)行離子注入等摻雜工藝，使特定區(qū)域的摻雜濃度與周?chē)牧闲纬擅黠@差異。當(dāng)濕法腐蝕進(jìn)行到摻雜區(qū)域時(shí)，由于摻雜改變了材料的電學(xué)性能和化學(xué)活性，腐蝕速率會(huì)發(fā)生顯著變化，從而實(shí)現(xiàn)腐蝕的自動(dòng)停止。例如，高劑量的硼注入硅或多晶硅中并退火后，可形成合適的摻雜硅，這些摻雜的襯底可以作為某些各向同性和各向異性腐蝕劑的有效自停止層。

應(yīng)用案例：在 MEMS 電容式壓力傳感器、平面硅電容器和 RF MEMS 開(kāi)關(guān)等器件制造中，常采用離子注入技術(shù)形成摻雜自停止層來(lái)控制腐蝕深度。

基于材料特性的自停止

原理：選擇具有特定腐蝕特性的材料組合，其中一種材料在腐蝕液中的腐蝕速率極慢或幾乎不被腐蝕，當(dāng)腐蝕到達(dá)該材料時(shí)，腐蝕過(guò)程就會(huì)自然停止。例如，在硅的濕法腐蝕中，一些金屬或介質(zhì)材料（如二氧化硅、氮化硅等）對(duì)常用的腐蝕液具有較高的抗腐蝕性，可作為腐蝕停止層。

應(yīng)用案例：在體硅加工工藝中，若在硅片上沉積了一層二氧化硅或氮化硅薄膜，當(dāng)濕法腐蝕硅時(shí)，腐蝕到這層薄膜就會(huì)停止。這種技術(shù)常用于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件的制造，以精確控制結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀。

電化學(xué)腐蝕自停止

原理：通過(guò)施加外部電場(chǎng)來(lái)控制腐蝕反應(yīng)的進(jìn)行，當(dāng)腐蝕達(dá)到預(yù)設(shè)的條件（如特定的電位、電流密度等）時(shí)，改變電場(chǎng)方向或強(qiáng)度，使腐蝕反應(yīng)停止。這種方法需要特殊的設(shè)備和精確的電化學(xué)控制系統(tǒng)，但可以實(shí)現(xiàn)高精度的腐蝕深度控制。

應(yīng)用案例：在一些高精度的半導(dǎo)體器件制造中，電化學(xué)腐蝕自停止技術(shù)可用于制備納米尺度的結(jié)構(gòu)或?qū)Ωg深度有嚴(yán)格要求的部位。