深圳市富田區(qū)最近正式任命了70名“AI公務(wù)員”。這標志著政府部門進入了“硅基同事”與人合作的新時代。這項改革基于DeepSeek 2.0模型，將240個政府場景分解為標準化模塊，并在專用混合架構(gòu)中實現(xiàn)“跨”式智能組合。正式文件格式更正準確率95%以上，各部門分工效率80%以上。然而這場“靜悄悄的革命”背后，是百億級晶體管密度的AI芯片在支撐——幾納米工藝的芯片上，會導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰，傳統(tǒng)光學顯微鏡已經(jīng)成為視力受損地區(qū)致命的渦輪。

當人工智能公務(wù)員以僅為人力成本五十分之一的成本不間斷地持續(xù)工作時，其基礎(chǔ)底層硬件的可靠性直接關(guān)系到政策傳導(dǎo)是否會出現(xiàn)“梗阻”，以及民生訴求的分派是否會陷入“數(shù)據(jù)繭房”。例如，龍崗區(qū)借助人工智能實現(xiàn)了從23萬路監(jiān)控視頻中“秒級尋人”。如果其依賴的核心視覺處理芯片的金屬互聯(lián)層存在孔洞，就可能導(dǎo)致關(guān)鍵幀丟失。福田區(qū)的“執(zhí)法文書生成助手”的秒級響應(yīng)，更是需要納米級精度的晶體管陣列來保障其穩(wěn)定性。 

這些挑戰(zhàn)，將AI的競爭從算法層面推向了硬件微觀世界的戰(zhàn)場！

澤攸科技ZEM系列臺式掃描電鏡具備自主創(chuàng)新的電子光學系統(tǒng)設(shè)計，可對AI芯片實現(xiàn)關(guān)鍵分析。

晶體管陣列的三維成像：借助背散射電子探測器（BSE），能夠清晰呈現(xiàn)鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）或環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的立體結(jié)構(gòu)，并定位諸如柵極氧化層厚度不均勻以及溝道界面缺陷等工藝問題。 

金屬互連層的缺陷檢測：利用二次電子成像（SE）技術(shù)，可以識別銅互連線路中的孔洞和電遷移痕跡，從而降低因電流密度過高而導(dǎo)致電路斷路的風險。 

材料成分的精確分析：通過結(jié)合能譜儀（EDS），能夠快速定位芯片中重金屬（如鐵、鎳顆粒）污染的位置，并追溯到硅晶圓制造過程中的工藝污染源。 

此外，ZEM系列臺式掃描電鏡的臺式化設(shè)計與環(huán)境強適應(yīng)性，使其可直接部署于芯片封裝產(chǎn)線。

空間革命

其體積僅為傳統(tǒng)設(shè)備的20%，并且可以在百級潔凈車間之外的普通實驗室，甚至是在移動檢測車內(nèi)運行。 

效率躍升

超快速抽真空，一鍵式自動化操作，能夠在一天內(nèi)完成對大量芯片樣品的缺陷檢測。 

動態(tài)分析

例如，可以選擇配備一個原位加熱臺，以便實時觀察芯片在高負載運行條件下的熱膨脹變形情況，并預(yù)測其在長期使用中的可靠性。 

這種“檢測-反饋-工藝優(yōu)化”的閉環(huán)模式，能夠大幅降低人工智能芯片供應(yīng)商在產(chǎn)品出廠時的缺陷率。此外，澤攸科技“階梯式”的技術(shù)布局，不僅滿足了頂尖實驗室對*致性能的追求，還為人工智能芯片供應(yīng)商提供了高性價比的選擇。由此，真正實現(xiàn)了檢測能力的“全鏈條覆蓋”。 

ZEM Ultra：搭載場發(fā)射電子槍，適用于高精度研究ZEM Pro：配備單晶燈絲，兼具長壽命與高亮度特性，*美平衡科研與工業(yè)檢測需求ZEM20/ZEM18/ZEM15C：采用經(jīng)典鎢燈絲設(shè)計，為常規(guī)檢測提供高性價比解決方案

芯片各部位部分表征圖

從“實驗室巨獸”到“桌面英雄”，澤攸科技的ZEM系列臺式掃描電子顯微鏡正越來越深入地融入國產(chǎn)*端儀器的技術(shù)核心，并且以納米級精度守護著人工智能系統(tǒng)的“中國芯”。當微觀世界中不可見的缺陷被精確捕捉時，宏觀世界的數(shù)字化轉(zhuǎn)型就多了一份堅實的保障！